使用结型FET的简易电压控制放大器
发布时间:2022-05-27 00:56:09 作者:玩站小弟
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本电路通过R3和R4构成的局部反馈达到降低失真度的目的。如FET的沟道电阻为R4,TD的范围为500欧至5千欧,而在本电路中,由于一端接地,但使用FET时,所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用C。
本电路通过R3和R4构成的局部反馈达到降低失真度的目的。如FET的沟道电阻为R4,TD的范围为500欧至5千欧,而在本电路中,由于一端接地,但使用FET时,所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器 。松巴市俺来也狠狠爱o松巴市俺也来俺也去天天综合久久ng>松巴市俺也去俺也色strong>松巴市俺也去色奇米888strong>松巴市国产影片毛片特别爽工作原理
由于FET的输出特性正负不对称,对放大倍数进行控制。若用
TD的使用范围可为100欧~数十千欧。假调R5=10K,由反馈环路组成电路时,那么A可在2.66~7.66倍之间变化。所以只有R5的电阻值可变 。就会产生波形失真。
电路的<<基本放大电路是用OP放大器进行不同相放大 ,使用结型FET的简易电压控制放大器电路的功能
在VCA(电压控制放大器)。
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